仪器简介
快速热处理设备,主要用于硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除/激活杂质,硅化物形成,金属蒸镀后欧姆/肖特基接触的制备,消除薄膜应力,提高薄膜附着性等方面。
性能指标
最大温度范围:150℃-1100℃;升温速率10-180℃/秒,可预设定,过冲温度3℃以内 ;密封石英盒尺寸:210×140×14mm,适合6"及以下基片;PC机控制,可编程,实时温度曲线显示及存储功能;双闭环温度控制,稳态温度稳定性±2℃。
应用范围
该设备具有很好的长时间工作稳定性以及快速升降温,慢速升降温的功能,因此也可用于各种半导体材料PVD/CVD工艺的热处理。
工艺图: