仪器简介
美国进口Kurt Lesker Lab-line磁控溅射设备,单步工艺可连续蒸镀3种金属及氧化物材料,DC及RF模式可选。
性能指标
腔体本底压力可达2E-8 Torr,蒸发速率0.1A/s~10A/s;膜厚均匀性±2%。可根据不同材料特性要求做调整。可以使用特殊夹具作业非标准尺寸的加工基片。
应用范围
可用于Pt、Au、Ti、Cr、Al、Ag、Ni、Ge、W等多种金属镀膜,也可用于SIO2、ITO等氧化物及金属氧化物半导体材料的沉积,具有沉积材料致密性强、膜厚控制精度高的优点。
工艺图:
4寸硅片溅射石墨
树脂材料溅射镍
玻璃片金属电极
特殊材料镀银颗粒
硅片基底金属电极