Leuven ICP刻蚀设备
仪器简介
电感耦合等离子刻蚀设备，通过等离子体辉光放电将反应气体分解，产生的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面进行刻蚀作用。
性能指标
6"及以下wafer、chip；刻蚀均匀性±3%（6"wafer）；刻蚀精度：0.01um
应用范围
主要用于Si、SiO2、SIN 、graphene，ITO、Al2O3、GaN、GaAs、InGaAs等材料的干法刻蚀。
工艺图：
0.3um 石英孔链
光学硅透镜器件
浅硅槽刻蚀
仪器简介
电感耦合等离子刻蚀设备，通过等离子体辉光放电将反应气体分解，产生的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面进行刻蚀作用。
性能指标
6"及以下wafer、chip；刻蚀均匀性±3%（6"wafer）；刻蚀精度：0.01um
应用范围
主要用于Si、SiO2、SIN 、graphene，ITO、Al2O3、GaN、GaAs、InGaAs等材料的干法刻蚀。
工艺图：
0.3um 石英孔链
光学硅透镜器件
浅硅槽刻蚀