NXQ 4006紫外双面光刻机
仪器简介
光刻机/紫外曝光机 (UV Aligner)。本机型为接触、接近式光刻机，可双面对准曝光。
性能指标
光刻参数：
衬底尺寸：5mm*5mm～ 100mm*100mm chip ；Φ2"～Φ6" wafer；
掩膜版尺寸：2.5"～7"
对准精度：± 0.5μm
分辨率：0.6μm
应用范围
可应用于MEMS器件、薄膜晶体管、红外传感器、激光器等半导体产品的研发及生产。适用于Si、GaN、GaAs、InGaAs、InP、石英片、蓝宝石片等多种衬底材料，适合碎片、圆片等不同基片尺寸。
工艺图：
