PECVD
等离子体增强化学气相沉积设备，利用强电场使所需的气体源分子电离产生等离子体，等离子体中含有很多活性很高的化学基团，这些基团经过经一系列化学和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。用于沉积SiO2, SiN 等绝缘体薄膜材料，沉积的薄膜具有均匀性好、精度高、抗应力强等优点。
主要技术指标：
基片尺寸：
6"及以下wafer、chip；
沉积均匀性：
±3%（6"wafer）；
膜厚精度：1nm；
等离子体增强化学气相沉积设备，利用强电场使所需的气体源分子电离产生等离子体，等离子体中含有很多活性很高的化学基团，这些基团经过经一系列化学和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。用于沉积SiO2, SiN 等绝缘体薄膜材料，沉积的薄膜具有均匀性好、精度高、抗应力强等优点。
主要技术指标：
基片尺寸：
6"及以下wafer、chip；
沉积均匀性：
±3%（6"wafer）；
膜厚精度：1nm；