通过旋涂的方式在基片上涂覆所需的光刻胶膜,通过调节转速达到精准控制胶膜厚度。适合各种黏度的正性及负性光刻胶的涂覆,最高转速可达到10000 rpm,自动滴胶装置,自动程序运行,胶厚控制精准。
主要技术指标:
膜厚均匀性:
±3%(6"wafer);
基片尺寸:
5mm*5mm~ 100mm*100mm chip ,Φ2"~Φ6"wafer;