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 Si片上形成具有垂直侧壁的高深宽比沟槽结构是制备先进MEMS器件的关键工艺，其各向异性刻蚀要求非常严格。深硅刻蚀工艺即为BOSCH工艺，刻蚀过程中，被刻蚀部分的聚合物保护层会完全除掉。除掉底部保护层后，对保护层下的硅材料进行刻蚀，而侧壁的保护层由于离子刻蚀的方向性，刻蚀速度低而不会被去除。随后重复钝化步骤，导致刻蚀持续在垂直方向进行。