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通过探针扫描样品，利用台阶高低差原理可计算出样品台阶的高度差及表面轮廓。主要用于光刻胶、SIO2、SI3N4、金属薄膜等厚度测量以及介质刻蚀深度测量。适用于6inch及以下wafer，chip。

主要技术指标

扫描针头：

12.5um；

扫描范围：

50um~55mm；

三种测试轮廓模式可选（hills、valleys、hills and valleys）；

测试精度：

± 0.01um；

最大测试台阶高度：

524um。