通过探针扫描样品,利用台阶高低差原理可计算出样品台阶的高度差及表面轮廓。主要用于光刻胶、SIO2、SI3N4、金属薄膜等厚度测量以及介质刻蚀深度测量。适用于6inch及以下wafer,chip。
主要技术指标
扫描针头:
12.5um;
扫描范围:
50um~55mm;
三种测试轮廓模式可选(hills、valleys、hills and valleys);
测试精度:
± 0.01um;
最大测试台阶高度:
524um。